上海高壓硅堆廠家

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10~500kV

100mA~2000mA

高(gao)(gao)壓(ya)硅堆又叫硅柱。它(ta)是(shi)一種(zhong)硅高(gao)(gao)頻(pin)高(gao)(gao)壓(ya)整流二極(ji)管(guan)。工作電(dian)(dian)壓(ya)在幾(ji)千伏至幾(ji)萬(wan)伏之間。常用于黑(hei)白電(dian)(dian)視機或其他電(dian)(dian)子(zi)儀器中作高(gao)(gao)頻(pin)高(gao)(gao)壓(ya)整流。它(ta)之所(suo)以能有如此(ci)高(gao)(gao)的(de)耐(nai)壓(ya)本領，是(shi)因為它(ta)的(de)內(nei)部是(shi)由若干個硅高(gao)(gao)頻(pin)二極(ji)管(guan)的(de)管(guan)心串聯(lian)起來(lai)組合而成(cheng)的(de)。外(wai)面用高(gao)(gao)頻(pin)陶瓷進行封裝。

上海高壓硅堆廠家

技術(shu)參(can)數

高(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)(gui)(gui)堆具(ju)有(you)(you)體(ti)積小、重量輕、機械(xie)強度高(gao)、使用(yong)簡便和(he)*等優點，普遍(bian)用(yong)于直流高(gao)壓(ya)(ya)設備中作為(wei)基本的(de)(de)整(zheng)流元件。實際(ji)上(shang)(shang)一個硅(gui)(gui)(gui)堆常由數(shu)(shu)個至數(shu)(shu)十個硅(gui)(gui)(gui)整(zheng)流二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)串聯(lian)封裝(zhuang)而成。具(ju)有(you)(you)單向(xiang)(xiang)導電(dian)(dian)性(xing)的(de)(de)硅(gui)(gui)(gui)二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)正(zheng)反(fan)向(xiang)(xiang)伏(fu)安(an)特性(xing)下圖所示，由下圖可(ke)知當(dang)二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)上(shang)(shang)外加正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)Uf很(hen)小時(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流很(hen)小，但當(dang)Uf大(da)于某一值UF后正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流If，則(ze)隨Uf的(de)(de)增(zeng)(zeng)大(da)而迅速增(zeng)(zeng)大(da)，通常稱UF為(wei)“死角電(dian)(dian)壓(ya)(ya)”，對于高(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)(gui)(gui)整(zheng)流二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)UF約(yue)為(wei)0.4 V~0.6 V。又當(dang)外加反(fan)壓(ya)(ya)Ur于二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)時(shi)則(ze)二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)呈現很(hen)大(da)阻(zu)抗，其(qi)反(fan)向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流Ir很(hen)小(約(yue)幾微安(an))，并隨反(fan)壓(ya)(ya)增(zeng)(zeng)加而稍有(you)(you)增(zeng)(zeng)長，但當(dang)反(fan)壓(ya)(ya)超過(guo)某一值UR后Ir則(ze)急劇增(zeng)(zeng)，則(ze)UR稱為(wei)擊穿電(dian)(dian)壓(ya)(ya)，高(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)(gui)(gui)整(zheng)流二(er)極(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)UR可(ke)達數(shu)(shu)千伏(fu)至上(shang)(shang)萬(wan)伏(fu)。

硅二極管伏安特性

硅(gui)二極管和硅(gui)堆(dui)基(ji)本技術參數如下：

1.額定(ding)整流(liu)電流(liu)If—指的(de)是(shi)通過二極(ji)管的(de)正向電流(liu)在一個周(zhou)期(qi)內(nei)的(de)平(ping)均值。在選(xuan)擇整流(liu)元件時顯然應使其If≥Id，即運(yun)行中通過二極(ji)管的(de)電流(liu)不(bu)應大于If。

2.正(zheng)向壓(ya)降(jiang)Uf—當二(er)極管(guan)通過的(de)正(zheng)向電流為額定值If時(shi)在(zai)管(guan)子兩端的(de)壓(ya)降(jiang)。

3.額定反峰電(dian)(dian)壓值(zhi)Ur一即二極管截止時(shi)(shi)在管子兩端允許出現的(de)高反向(xiang)工作電(dian)(dian)壓峰值(zhi)。它(ta)(ta)是電(dian)(dian)容器(qi)上電(dian)(dian)壓和變壓器(qi)輸(shu)出電(dian)(dian)壓之差，它(ta)(ta)的(de)波形基本上相當于(yu)一個帶(dai)直流分(fen)量的(de)正(zheng)弦波。在選擇整流元件時(shi)(shi)應(ying)使Ur滿(man)足下(xia)式(shi)：

式中，UT—工頻試驗變壓器(qi)T的輸(shu)出電壓(有效值) ；

S—紋波(bo)因數；

Ud—輸出直流電(dian)壓算數平均值。

否則管子可能出現反向擊(ji)穿(chuan)。一般(ban)Ur選為它的(de)擊(ji)穿(chuan)電壓的(de)1/2～2/3，即(ji)Ur=(1/2～2/3)UR。

4.反向平均電流Ir—在高反向工作(zuo)(zuo)電壓作(zuo)(zuo)用下流過管(guan)子(zi)的反向電流平均值。 

高壓硅堆技術參數

高壓硅堆使(shi)用(yong)注意(yi)事項

使(shi)用硅堆時還應(ying)掌握它的(de)(de)(de)過載特性，一(yi)般硅堆的(de)(de)(de)正向(xiang)損壞(huai)是由于二極管PN結(jie)的(de)(de)(de)熱擊穿造成的(de)(de)(de)，根據大功率硅整流元件技術標準規定(ding)，PN結(jie)的(de)(de)(de)高(gao)允許工作溫度為(wei)140℃

因此(ci)在正常工(gong)(gong)作時結溫(wen)(wen)必(bi)須低于140℃，不然會引起硅(gui)堆(dui)特性(xing)變壞(huai)和加速(su)封裝硅(gui)堆(dui)的絕緣(yuan)介(jie)質的老化，從而影響硅(gui)堆(dui)使(shi)用(yong)壽命。為了(le)在正常工(gong)(gong)作狀(zhuang)態下保(bao)證PN結的溫(wen)(wen)度不超過允許溫(wen)(wen)度，必(bi)須注意(yi)以(yi)下幾點：

1.所(suo)用(yong)硅堆(dui)的額(e)定(ding)正(zheng)向(xiang)整(zheng)流(liu)(liu)電流(liu)(liu)峰值，應不小于其在正(zheng)常實(shi)際工(gong)作狀態(tai)中的電流(liu)(liu)大值。特別是對一(yi)(yi)些(xie)正(zheng)常工(gong)作狀態(tai)下負載側(ce)經常發生閃絡或擊穿的直(zhi)流(liu)(liu)高壓(ya)設備(例如(ru)靜電除塵器中)的硅堆(dui)，If值應適(shi)當選大一(yi)(yi)些(xie)。此(ci)外所(suo)規定(ding)的額(e)定(ding)整(zheng)流(liu)(liu)電流(liu)(liu)值If，一(yi)(yi)般是指在自然對流(liu)(liu)冷(leng)卻下的允許(xu)使用(yong)值，如(ru)果(guo)采用(yong)油冷(leng)，則整(zheng)流(liu)(liu)電流(liu)(liu)大約可提高一(yi)(yi)倍。

2.根據高(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)堆的(de)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)特(te)性可(ke)分工頻(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)堆(用(yong)2DL表(biao)示)和高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)堆(用(yong)2DGL表(biao)示)。工頻(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)堆所(suo)整流的(de)電流頻(pin)(pin)(pin)率(lv)應在3 kHz以下(xia)，高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)堆所(suo)整流的(de)電流頻(pin)(pin)(pin)率(lv)可(ke)在3 kHz以上(shang)。對于高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)電壓(ya)(ya)的(de)整流應使(shi)用(yong)相應的(de)高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅(gui)堆。

3.高壓硅(gui)堆(dui)所標稱的(de)(de)額定整(zheng)流(liu)電(dian)流(liu)值(zhi)是指在使(shi)用環(huan)境溫(wen)度(du)(du)為室(shi)溫(wen)時的(de)(de)平均(jun)整(zheng)流(liu)電(dian)流(liu)值(zhi)。如(ru)在較高的(de)(de)環(huan)境溫(wen)度(du)(du)下工作時，所允許的(de)(de)整(zheng)流(liu)電(dian)流(liu)值(zhi)應相應地(di)減小。下圖為環(huan)境溫(wen)度(du)(du)與被(bei)允許的(de)(de)平均(jun)整(zheng)流(liu)電(dian)流(liu)百分(fen)比的(de)(de)關系曲線。

硅堆溫度負載特性曲線

4.高壓硅堆的(de)結溫(wen)是由于PN結的(de)功(gong)率損(sun)耗對結部加熱所致(zhi)，而結功(gong)率損(sun)耗還與整(zheng)流(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)的(de)波形(xing)(xing)和施加的(de)反(fan)向(xiang)電(dian)壓有關。例如，當波形(xing)(xing)為(wei)非正弦波而是矩(ju)形(xing)(xing)波時(shi)(shi)，硅堆的(de)整(zheng)流(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)值應減小。當反(fan)向(xiang)電(dian)壓較(jiao)高時(shi)(shi)尚需考慮反(fan)向(xiang)功(gong)率損(sun)耗(一(yi)般情況(kuang)下可忽略)，務必使其不要超過元件(jian)允許值。

但是在事(shi)故(gu)狀態下，例如試品發生擊穿或(huo)閃(shan)絡，則(ze)硅堆有可能流(liu)(liu)過(guo)(guo)(guo)很大(da)(da)的正(zheng)向電流(liu)(liu)，此時(shi)結溫允(yun)許在一(yi)(yi)短時(shi)間(jian)內超(chao)過(guo)(guo)(guo)額(e)定(ding)高允(yun)許結溫，若(ruo)時(shi)間(jian)很短則(ze)尚不(bu)致造成損壞。但若(ruo)在某一(yi)(yi)給定(ding)的時(shi)間(jian)問隔內，電流(liu)(liu)值超(chao)過(guo)(guo)(guo)了相(xiang)應的某一(yi)(yi)限(xian)度，則(ze)PN結可能因過(guo)(guo)(guo)流(liu)(liu)而使元件燒毀(hui)。另外，即使電流(liu)(liu)值不(bu)超(chao)過(guo)(guo)(guo)這個(ge)限(xian)度，這種過(guo)(guo)(guo)電流(liu)(liu)的沖擊次(ci)數(shu)在硅堆的整個(ge)使用壽(shou)命期間(jian)也不(bu)能太(tai)多(大(da)(da)約(yue)在幾百次(ci))。表示(shi)硅堆在多長(chang)的時(shi)間(jian)間(jian)隔內，允(yun)許流(liu)(liu)過(guo)(guo)(guo)多大(da)(da)的故(gu)障電流(liu)(liu)的特性，稱為(wei)過(guo)(guo)(guo)載特性(此時(shi)結溫不(bu)能超(chao)過(guo)(guo)(guo)160℃)，而該允(yun)許的電流(liu)(liu)值稱為(wei)過(guo)(guo)(guo)載電流(liu)(liu)額(e)定(ding)值。下圖分別為(wei)額(e)定(ding)整流(liu)(liu)電流(liu)(liu)為(wei)150 mA和0.5A硅堆的過(guo)(guo)(guo)載特性曲(qu)線。

150mA硅堆(a)和0.5 A硅堆(b)過載特性

為(wei)了(le)(le)保護硅(gui)堆必須(xu)保證流(liu)(liu)(liu)過(guo)硅(gui)堆的(de)(de)(de)事故電(dian)流(liu)(liu)(liu)(峰值)不超(chao)過(guo)允許的(de)(de)(de)過(guo)載電(dian)流(liu)(liu)(liu)(峰值)，一般(ban)只需在高壓回路選(xuan)用(yong)(yong)合適的(de)(de)(de)限(xian)流(liu)(liu)(liu)電(dian)阻(zu)R即可(ke)。但在一些額定(ding)電(dian)流(liu)(liu)(liu)較大、持續運行時間(jian)較長的(de)(de)(de)直流(liu)(liu)(liu)高壓設(she)備中，為(wei)了(le)(le)避免電(dian)阻(zu)會增加設(she)備在正常工(gong)作狀態(tai)下的(de)(de)(de)功率(lv)損耗，常不采用(yong)(yong)R而選(xuan)用(yong)(yong)晶閘管、過(guo)流(liu)(liu)(liu)繼電(dian)器和快(kuai)速熔斷器等元(yuan)件作為(wei)過(guo)電(dian)流(liu)(liu)(liu)保護。 

高壓硅(gui)堆的修復使用

黑白電(dian)視(shi)機遇(yu)潮(chao)濕天氣在(zai)高(gao)壓(ya)(ya)包腔內容易產生(sheng)高(gao)壓(ya)(ya)打火的(de)現象。火花(hua)將高(gao)壓(ya)(ya)硅堆圓(yuan)柱體表面(mian)擊刻成條(tiao)條(tiao)溝槽，使硅堆在(zai)高(gao)電(dian)壓(ya)(ya)下(xia)，外(wai)表面(mian)拉弧導通，顯像管第二陽極(ji)無(wu)高(gao)壓(ya)(ya)，造成電(dian)視(shi)無(wu)光(guang)柵(zha)。

這時，可把高壓硅堆圓柱(zhu)表面(mian)(mian)的(de)(de)碳化(hua)物用(yong)刀刮除，再(zai)用(yong)砂紙(zhi)打磨(mo)干凈，只(zhi)要用(yong)表測量(liang)硅堆的(de)(de)性(xing)能(neng)仍屬好的(de)(de)，即可在它的(de)(de)表面(mian)(mian)涂敷一層環氧樹脂，待固化(hua)后即可使用(yong)。

高壓包在清除腔內碳化(hua)物后可(ke)以使(shi)用。